微電子學(xué)判斷題每日一練(2020.04.13)

來源：考試資料網(wǎng)

1.判斷題常用來制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管的材料是直接躍遷晶體材料。

2.判斷題同種半導(dǎo)體材料在相同溫度下電子的遷移率比空穴的遷移率小。

3.判斷題側(cè)墻用來環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。

4.判斷題在LPCVD中，由于hG>>kS，即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過程主要是表面反應(yīng)速率控制

5.判斷題在集成電路制造工藝步驟中，光刻與刻蝕能把掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上來。

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