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判斷題

側(cè)墻用來環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。

答案：正確

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離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度，因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。

答案：錯誤

熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散，因為它會導(dǎo)致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。

答案：正確

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