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判斷題

在LPCVD中，由于hG>>kS，即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過程主要是表面反應(yīng)速率控制

答案：正確

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單項選擇題

下面選項屬于主擴(kuò)散的作用有（）。
1.調(diào)節(jié)表面濃度
2.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量
3.控制結(jié)深

A.1
B.2
C.3
D.1、3

單項選擇題

不論正膠或負(fù)膠，光刻過程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅膜
以下選項排列正確的是：（）。

A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。