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微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.05.13)
填空題
在微電子學(xué)中的空間尺寸通常是以μm和（）為單位的。
答案：
nm
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問(wèn)答題
離子注入后進(jìn)行退火工藝的原因是什么？
答案：
可使裸露的硅片表面生長(zhǎng)一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質(zhì)向硅中移動(dòng)；可使注入引入的損傷得到修復(fù)；使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價(jià)...
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填空題
晶體管的高頻優(yōu)值M是（）與（）的乘積
答案：
功率增益；帶寬
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問(wèn)答題
什么是集成電路設(shè)計(jì)？集成電路的設(shè)計(jì)方法有哪些？
答案：
根據(jù)電路功能和性能的要求，在正確選擇系統(tǒng)配置、電路形式、器件結(jié)構(gòu)、工藝方案和設(shè)計(jì)規(guī)則的情況下，盡量減小芯片面積，降低設(shè)計(jì)...
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填空題
N溝道MOSFET的襯底是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）。
答案：
P；N；電子
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問(wèn)答題
為什么刪氧要用熱生長(zhǎng)？
答案：
因?yàn)闁叛跖c其下的Si具有高質(zhì)量和穩(wěn)定性的特點(diǎn)，柵氧一般通過(guò)熱生長(zhǎng)獲得。
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問(wèn)答題
解釋透鏡壓縮是怎么發(fā)生的，它產(chǎn)生了什么問(wèn)題？
答案：
透鏡壓縮是透鏡材料結(jié)構(gòu)上的重新排列導(dǎo)致透鏡材料增密，壓縮發(fā)生在透鏡材料中，包括熔融石英它可以增加激光束穿過(guò)區(qū)域的透鏡材料...
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填空題
N型半導(dǎo)體中電子是多子，空穴是（）。
答案：
少子
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問(wèn)答題
集成電路設(shè)計(jì)和分立電路設(shè)計(jì)相比，有哪些特點(diǎn)？
答案：
①集成電路對(duì)設(shè)計(jì)正確性提出了更為嚴(yán)格的要求。
②集成電路外引出端的數(shù)目不可能與芯片內(nèi)器件的數(shù)目同步增加，因此設(shè)...
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名詞解釋
擴(kuò)散法（diffusion）
答案：
是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐中，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)的一種方法。
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