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擴散法(diffusion)
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是將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐中,將雜質(zhì)擴散到硅片內(nèi)的一種方法。
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它表示由于柵極材料和襯底材料間的功函數(shù)差以及柵氧化層中固定正電荷的影響而引起的電壓偏移。
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反向延長晶體管的I-V特性曲線與電壓軸交點的電壓的絕對值。這是因為基區(qū)寬變效應導致β隨Vce增大而增大,Ic隨...
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