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問答題
【簡答題】離子注入后進(jìn)行退火工藝的原因是什么？
答案：
可使裸露的硅片表面生長一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質(zhì)向硅中移動；可使注入引入的損傷得到修復(fù)；使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價...
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問答題
【簡答題】刻蝕工藝的目的是什么，這個區(qū)中最常用的設(shè)備是什么？
答案：
目的：硅片上沒有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。
常用設(shè)備：等離子刻蝕機(jī)，等離子體去膠機(jī)和濕法清洗設(shè)備。
