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問答題

【簡答題】比較同等摻雜濃度多晶硅和單晶硅電阻率的大??？解釋不同的原因。

答案：相同摻雜雜質(zhì)即使?jié)舛认嗤嗑Ч璧碾娮杪时葐尉Ч璧碾娮杪矢?。這是因為多晶硅石油晶粒和晶界組成，在晶粒內(nèi)部的摻雜原子和在單晶...

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【簡答題】SiO₂作為保護膜時為什么需要采用低溫工藝？目前低溫SiO₂工藝有哪些方法？它們降低制備溫度的原理是什么？

答案：

【簡答題】薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速率非常慢，因此常作為硅片定域KOH各向異性腐蝕的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速率快。怎樣才能用已淀積的PECVD氮化硅薄膜作為KOH各向異性腐蝕的掩蔽膜？

答案： PECVD氮化硅薄膜含H、質(zhì)地疏松，抗KOH水溶液中的腐蝕性能差?？赏ㄟ^高溫退火，使H逸出，薄膜致密化，從而提高抗腐蝕性...

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