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問答題
【簡(jiǎn)答題】SiO2作為保護(hù)膜時(shí)為什么需要采用低溫工藝？目前低溫SiO2工藝有哪些方法？它們降低制備溫度的原理是什么？
答案：
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問答題
【簡(jiǎn)答題】薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速率非常慢，因此常作為硅片定域KOH各向異性腐蝕的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速率快。怎樣才能用已淀積的PECVD氮化硅薄膜作為KOH各向異性腐蝕的掩蔽膜？
答案：
PECVD氮化硅薄膜含H、質(zhì)地疏松，抗KOH水溶液中的腐蝕性能差?？赏ㄟ^高溫退火，使H逸出，薄膜致密化，從而提高抗腐蝕性...
