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問答題

【共用題干題】
制造晶體管一般是在高雜質(zhì)濃度的n型襯底上外延一層n型外延層，再在外延層中擴散硼、磷而成的。
設(shè)n型外延層雜質(zhì)均勻分布，雜質(zhì)濃度為4.6×10¹⁵cm^-3，計算300K時E_F的位置及電子和空穴濃度。

答案：

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【【共用題干題】】
制造晶體管一般是在高雜質(zhì)濃度的n型襯底上外延一層n型外延層，再在外延層中擴散硼、磷而成的。
設(shè)n型外延層雜質(zhì)均勻分布，雜質(zhì)濃度為4.6×10¹⁵cm^-3，計算300K時E_F的位置及電子和空穴濃度。

答案：

【共用題干題】
制造晶體管一般是在高雜質(zhì)濃度的n型襯底上外延一層n型外延層，再在外延層中擴散硼、磷而成的。
在外延層中擴散硼后，硼的濃度分布隨樣品深度變化。設(shè)擴散層某一深度處硼濃度為5.2×10¹⁵cm^-3,計算300K時E_F的位置及電子和空穴濃度。

答案：

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