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問答題
【簡答題】與Si三極管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺點(diǎn)？
答案：
（1）跨導(dǎo)相對低；
（2）閾值電壓較敏感于有源層的垂直尺寸形狀和摻雜程度；
（3）驅(qū)動(dòng)電流??；
（4）閾值電壓變化大。
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問答題
【簡答題】HEMT有更高截止頻率更高跨導(dǎo)和更低噪聲的原因？它的主要應(yīng)用領(lǐng)域是什么？
答案：
HEMT有源層中，沒有施主與電子的碰撞毫米波電路和光纖通信的超高速電路
問答題
【簡答題】由Si/SiGe材料系統(tǒng)研制的HEMT取得了哪些進(jìn)展？
答案：
在300K和77K溫度下，N溝道HEMT的跨導(dǎo)分別達(dá)到400mS/mm和800mS/mm；P溝道HEMT的跨導(dǎo)達(dá)到170...
