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問答題

【簡(jiǎn)答題】由Si/SiGe材料系統(tǒng)研制的HEMT取得了哪些進(jìn)展？

答案：在300K和77K溫度下，N溝道HEMT的跨導(dǎo)分別達(dá)到400mS/mm和800mS/mm；P溝道HEMT的跨導(dǎo)達(dá)到170...

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因?yàn)镮n原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象

【簡(jiǎn)答題】什么情況下器件的柵極通常要考慮采用蘑菇型即T型柵極？

答案：

柵長小于0.3um

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