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問答題

【簡答題】HEMT有更高截止頻率更高跨導和更低噪聲的原因？它的主要應(yīng)用領(lǐng)域是什么？

答案：

HEMT有源層中，沒有施主與電子的碰撞毫米波電路和光纖通信的超高速電路

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【簡答題】由Si/SiGe材料系統(tǒng)研制的HEMT取得了哪些進展？

答案：在300K和77K溫度下，N溝道HEMT的跨導分別達到400mS/mm和800mS/mm；P溝道HEMT的跨導達到170...

【簡答題】什么是贗晶或贗配HEMT？

答案：

因為In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象

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