A.表示不加電場時(shí)晶體的折射率
B.電場的一次項(xiàng)所引起的晶體折射率變化效應(yīng)
C.一次電光效應(yīng)
D.線性電光效應(yīng)

A.橫向電光效應(yīng)的半波電壓與晶體的幾何尺寸有關(guān)，在其他條件情時(shí)，晶體的厚度（垂直于通光方向的幾何尺寸）越厚，半波電壓越高。
B.橫向電光效應(yīng)的半波電壓與晶體的幾何尺寸有關(guān)，在其他條件情時(shí)，晶體的通光長度越長，半波電壓越高。
C.為了降低半波電壓，需要盡可能增加通光方向的幾何尺寸。
D.為了降低半波電壓，需要將晶體加工成細(xì)長的扁長方體。