A.表示不加電場時晶體的折射率B.電場的一次項所引起的晶體折射率變化效應C.一次電光效應D.線性電光效應
A.橫向電光效應的半波電壓與晶體的幾何尺寸有關,在其他條件情時,晶體的厚度(垂直于通光方向的幾何尺寸)越厚,半波電壓越高。B.橫向電光效應的半波電壓與晶體的幾何尺寸有關,在其他條件情時,晶體的通光長度越長,半波電壓越高。C.為了降低半波電壓,需要盡可能增加通光方向的幾何尺寸。D.為了降低半波電壓,需要將晶體加工成細長的扁長方體。
A.半導體激光器、起偏器、電光晶體、1/4波片、檢偏器、光電探測器B.半導體激光器、起偏器、1/4波片、電光晶體、檢偏器、光電探測器C.半導體激光器、起偏器、電光晶體、檢偏器、1/4波片、光電探測器D.半導體激光器、1/4波片、起偏器、電光晶體、檢偏器、光電探測器