A.橫向電光效應(yīng)的半波電壓與晶體的幾何尺寸有關(guān),在其他條件情時(shí),晶體的厚度(垂直于通光方向的幾何尺寸)越厚,半波電壓越高。B.橫向電光效應(yīng)的半波電壓與晶體的幾何尺寸有關(guān),在其他條件情時(shí),晶體的通光長(zhǎng)度越長(zhǎng),半波電壓越高。C.為了降低半波電壓,需要盡可能增加通光方向的幾何尺寸。D.為了降低半波電壓,需要將晶體加工成細(xì)長(zhǎng)的扁長(zhǎng)方體。
A.半導(dǎo)體激光器、起偏器、電光晶體、1/4波片、檢偏器、光電探測(cè)器B.半導(dǎo)體激光器、起偏器、1/4波片、電光晶體、檢偏器、光電探測(cè)器C.半導(dǎo)體激光器、起偏器、電光晶體、檢偏器、1/4波片、光電探測(cè)器D.半導(dǎo)體激光器、1/4波片、起偏器、電光晶體、檢偏器、光電探測(cè)器