現(xiàn)有三個(gè)半導(dǎo)體硅樣品，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為p₀₁=2.25×10¹⁵/cm³，p₀₂=1.5×10¹⁰/cm³，p₀₃=2.25×10⁴/cm³
（1）分別計(jì)算這三個(gè)樣品的電子濃度
（2）判別這三個(gè)樣品的導(dǎo)電類型 
（3）計(jì)算這三個(gè)樣品的費(fèi)米能級(jí)的位置