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問答題

【計(jì)算題】

現(xiàn)有三個(gè)半導(dǎo)體硅樣品,已知室溫下(300K)它們的空穴濃度分別為p01=2.25×1015/cm3,p02=1.5×1010/cm3,p03=2.25×104/cm3
(1)分別計(jì)算這三個(gè)樣品的電子濃度
(2)判別這三個(gè)樣品的導(dǎo)電類型 
(3)計(jì)算這三個(gè)樣品的費(fèi)米能級(jí)的位置

答案:
對(duì)這三塊材料分別計(jì)算如下:

即P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線下0.37eV處
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