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問答題

【計算題】
一塊有雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)墓璨牧希阎獡饺胧苤髅芏萅_A=1×10¹⁵cm²，室溫下測其費(fèi)米能級，恰好與施主能級重合，并得知平衡電子密度為n₀=5×10¹⁵cm³，已知室溫下硅的本征載流子密度為n=1.5×10¹⁵cm³，試求：
（1）平衡少子的密度
（2）材料中施主雜質(zhì)的密度
（3）電離雜質(zhì)和中性雜質(zhì)的密度

答案：

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【計算題】
兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n₁/n₂=e。
（1）如果第一塊材料的費(fèi)米能級在導(dǎo)帶之下3k₀T，求第二塊材料的費(fèi)米能級的位置。
（2）兩塊材料中空穴密度之比。

答案：

（1）設(shè)第一塊和第二塊材料的費(fèi)米能級分別為E_F1和E_F2，利用

【計算題】若費(fèi)米能級為5eV，求出在什么溫度下電子占據(jù)能量為5.5eV能級的幾率為1%，并計算在該溫度下電子分布幾率從0.9~0.1所對應(yīng)的區(qū)間。

答案：

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