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問答題
【計算題】
兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n1/n2=e。
（1）如果第一塊材料的費米能級在導帶之下3k0T，求第二塊材料的費米能級的位置。
（2）兩塊材料中空穴密度之比。
答案：
（1）設第一塊和第二塊材料的費米能級分別為EF1和EF2，利用
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問答題
【簡答題】在半導體中，V族雜質(zhì)原子外層第五個電子的運動，可以看成是圍繞一個正核電荷的圓形軌道上運動，并穿過具有體介電常數(shù)的材料。證明，如果介電常數(shù)為11.7，則能量為大約0.1eV的電子，就能在晶體中自由運動。材料晶格常數(shù)為5.42A。
答案：
XXX基態(tài)的能量為Z=1，n=1時的值，
電荷束縛，在<流體>中運動，同理可求出基態(tài)半徑：
電荷束縛，在<流體>中運動，同理可求出基態(tài)半徑：
