97免费在线观看视频,亚洲综合自拍网,黄色毛片免费观看,热久久综合网,免费看日产一区二区三区狠狠操av,久久久涩涩涩,在线精品免费视频,人人插天天干,久久91精品国产91久久

<pre id="phoh4"><strong id="phoh4"></strong></pre>

<pre id="phoh4"><legend id="phoh4"><div id="phoh4"></div></legend></pre>

<ruby id="phoh4"><xmp id="phoh4"></xmp></ruby>

<pre id="phoh4"><strong id="phoh4"></strong></pre>

問答題

【計算題】在電阻率為1Ω∙cm的p型硅半導(dǎo)體區(qū)域中，摻金濃度N_t=10¹⁵cm^-3，由邊界穩(wěn)定注入的電子濃度（∆n）₀=10¹⁰cm^-3，試求邊界處電子擴散電流。

答案：

你可能感興趣的試題

【計算題】設(shè)空穴濃度是線性分布，在3us內(nèi)濃度差為10¹⁵cm^-3，u_p=400cm₂/（V∙s）。試計算空穴擴散電流密度。

答案：

【計算題】室溫下，p型半導(dǎo)體中的電子壽命為τ=350us，電子的遷移率u_n=3600cm^-2/（V∙s）。試求電子的擴散長度。

答案：

<abbr id="77xcv"></abbr>