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問答題

【計算題】室溫下，p型半導(dǎo)體中的電子壽命為τ=350us，電子的遷移率u_n=3600cm^-2/（V∙s）。試求電子的擴散長度。

答案：

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【計算題】在摻雜濃度N^D=10¹⁶cm^-3，少數(shù)載流子壽命為10us的n型硅中，如果由于外界作用，少數(shù)載流子全部被清除，那么在這種情況下，電子-空穴對的產(chǎn)生率是多大？（E_t=E_i）。

答案：

【案例分析題】在下述條件下，是否有載流子的凈復(fù)合或者凈產(chǎn)生在n=p的半導(dǎo)體區(qū)域，這里n>>n_i0

答案：

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