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問答題
【簡答題】試說明CMOS工藝在硅片上形成氧化物的主要方法，以及他們間的本質(zhì)區(qū)別。
答案：
硅片上的氧化物有許多種方法產(chǎn)生：熱生長和淀積，包括：熱氧化法、CVD、熱分解淀積法、陽極氧化法、反應(yīng)濺射法等。
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問答題
【簡答題】CMOS工藝中為什么要形成側(cè)墻？在哪一個工藝環(huán)節(jié)形成及為什么？并說明其形成步驟及主要作用。
答案：
步驟：
1）淀積二氧化硅
2）二氧化硅反刻
作用：用來環(huán)繞多晶硅柵，作為n+和p+源漏注入...
1）淀積二氧化硅
2）二氧化硅反刻
作用：用來環(huán)繞多晶硅柵，作為n+和p+源漏注入...
問答題
【簡答題】什么是阱？CMOS工藝中阱的作用是什么？試說明CMOS雙阱工藝中的阱是如何形成的？
答案：
在硅襯底上形成的、摻雜類型或摻雜濃度與硅襯底不同的局部摻雜區(qū)域稱為阱（well），包括：n阱、p阱和雙阱（dual/tw...
