97免费在线观看视频,亚洲综合自拍网,黄色毛片免费观看,热久久综合网,免费看日产一区二区三区 狠狠操av,久久久涩涩涩,在线精品免费视频,人人插天天干,久久91精品国产91久久
首頁
網(wǎng)課
桌面端
登錄
搜標(biāo)題
搜題干
搜選項
0
/ 200字
搜索
問答題
【簡答題】CMOS工藝中為什么要形成側(cè)墻?在哪一個工藝環(huán)節(jié)形成及為什么?并說明其形成步驟及主要作用。
答案:
步驟:
1)淀積二氧化硅
2)二氧化硅反刻
作用:用來環(huán)繞多晶硅柵,作為n+和p+源漏注入...
點(diǎn)擊查看完整答案
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】什么是阱?CMOS工藝中阱的作用是什么?試說明CMOS雙阱工藝中的阱是如何形成的?
答案:
在硅襯底上形成的、摻雜類型或摻雜濃度與硅襯底不同的局部摻雜區(qū)域稱為阱(well),包括:n阱、p阱和雙阱(dual/tw...
點(diǎn)擊查看完整答案
問答題
【簡答題】試說明NMOS和PMOS的源漏是如何形成的及為什么?
答案:
LDD技術(shù)(輕摻雜漏注入技術(shù))結(jié)構(gòu):在溝道的漏端及源端增加低摻雜區(qū)。LDD使用的較大質(zhì)量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶...
點(diǎn)擊查看完整答案
微信掃碼免費(fèi)搜題