97免费在线观看视频,亚洲综合自拍网,黄色毛片免费观看,热久久综合网,免费看日产一区二区三区狠狠操av,久久久涩涩涩,在线精品免费视频,人人插天天干,久久91精品国产91久久

<sup id="4e877"><legend id="4e877"><div id="4e877"></div></legend></sup>

<dd id="4e877"></dd>

<ruby id="4e877"><xmp id="4e877"></xmp></ruby>

填空題

用C-V測試可以測定二氧化硅薄膜的：（）

答案：界面態(tài)密度、可動(dòng)電荷密度和固定電荷密度

你可能感興趣的試題

氧化層厚度的測量方法主要有：（）。

答案：比色法、橢圓偏振儀測試法、臺階測試、相干光波長差測量、擴(kuò)展電阻測試、掃描電鏡測量

氧化時(shí)（）稱為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。

答案：硅中的雜質(zhì)濃度與SiO₂中濃度出現(xiàn)差別的現(xiàn)象；小于；大于