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填空題
氧化層厚度的測(cè)量方法主要有：（）。
答案：
比色法、橢圓偏振儀測(cè)試法、臺(tái)階測(cè)試、相干光波長(zhǎng)差測(cè)量、擴(kuò)展電阻測(cè)試、掃描電鏡測(cè)量
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填空題
氧化時(shí)（）稱(chēng)為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。
答案：
硅中的雜質(zhì)濃度與SiO2中濃度出現(xiàn)差別的現(xiàn)象；小于；大于
填空題
Si襯底上熱氧化的機(jī)理由（）模型確定。氧化反應(yīng)的快慢與三個(gè)因素有關(guān)，即：（）。氧化層厚度的理論計(jì)算公式為：
式中A、B為與擴(kuò)散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時(shí)間修正系數(shù)。
答案：
迪爾－格羅夫；溫度、氧化劑濃度和表面電勢(shì)；初始厚度
