- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項(xiàng)
問答題
【簡答題】如何解決MOS器件中的寄生雙極晶體管效應(yīng)？
答案：
（1）增大基區(qū)寬度：由工藝決定；
（2）使襯底可靠接地或電源。
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】如何解決MOS器件的場區(qū)寄生MOSFET效應(yīng)？
答案：
在第二次光刻生成有源區(qū)時(shí)，進(jìn)行場氧生長前進(jìn)行場區(qū)離子注入，提高寄生MOSFET的閾值電壓，使其不易開啟；增加場氧生長厚度...
問答題
【簡答題】消除“Latch-up”效應(yīng)的方法？
答案：
版圖設(shè)計(jì)時(shí)：為減小寄生電阻Rs和Rw，版圖設(shè)計(jì)時(shí)采用雙阱工藝、多增加電源和地接觸孔數(shù)目，加粗電源線和地線，對接觸進(jìn)行合理...
