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A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道（channel）間一般是隔著二氧化硅（SiO₂）
D.與增強型比較，空乏型在制造上多了離子布植（ionimplantation）的手續(xù)

A.通道中載子的濃度
B.通道之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度

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