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單項選擇題

下列有關MOSFET之敘述,何者有誤?()

A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
B.增強型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道(channel)間一般是隔著二氧化硅(SiO2
D.與增強型比較,空乏型在制造上多了離子布植(ionimplantation)的手續(xù)

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