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問(wèn)答題
【計(jì)算題】
已知室溫（300K）下硅的禁帶寬度Eg≈1.12eV，價(jià)帶頂空穴和導(dǎo)帶底電子的有效質(zhì)量之比mp/mn≈0.55，導(dǎo)帶的有效狀態(tài)密度NC≈2.8*1019/cm3，kT≈0.026eV。試計(jì)算：
1）室溫（300K）下，純凈單晶硅的本征費(fèi)米能級(jí)Ei；
2）室溫（300K）下，摻磷濃度為1018/cm3的n型單晶硅的費(fèi)米能級(jí)EF。
答案：
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試求：
問(wèn)答題
【計(jì)算題】
某半導(dǎo)體價(jià)帶頂附近能量色散關(guān)系可表示為：E（k）=Emax-10-30k2（J），現(xiàn)將其中一波矢為
的電子移走，試求此電子留下的空穴的有效質(zhì)量m*p，
及速度vp（k）.
答案：
價(jià)帶頂附近等能面為球面， 因此有效質(zhì)量各向同性，均為：
