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問答題

【計算題】
某半導體價帶頂附近能量色散關(guān)系可表示為：E（k）=E_max-10^-30k²（J），現(xiàn)將其中一波矢為
的電子移走，試求此電子留下的空穴的有效質(zhì)量m^*_p，及速度v_p（k）.

答案：

價帶頂附近等能面為球面，因此有效質(zhì)量各向同性，均為：

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【計算題】
已知室溫（300K）下硅的禁帶寬度E_g≈1.12eV，價帶頂空穴和導帶底電子的有效質(zhì)量之比m^_p/m^_n≈0.55，導帶的有效狀態(tài)密度N_C≈2.8*10¹⁹/cm³，k_T≈0.026eV。試計算：
1）室溫（300K）下，純凈單晶硅的本征費米能級E_i；
2）室溫（300K）下，摻磷濃度為10¹⁶/cm³的n型單晶硅的費米能級E_F。

答案：

1）純凈單晶硅的本征費米能級E_i.

【計算題】室溫下，p型半導體中的電子壽命為ι=350us，電子的遷移率u_n=3600cm^-2/（V·s）。試求電子的擴散長度。

答案：

根據(jù)愛因斯坦關(guān)系：

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