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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】解釋晶體晶向?qū)ρ趸锷L(zhǎng)的影響。

答案： 線性氧化物速率依賴于晶向的原因是（111）面的硅原子密度比（100）面的大。因此，在線性階段，（111）硅單晶的氧化速率...
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【簡(jiǎn)答題】摻雜對(duì)氧化物生長(zhǎng)的影響是什么？
答案： 重?fù)诫s的硅要比輕摻雜的氧化速率快。
問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】舉出氧化工藝中摻氯的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)。
答案： 優(yōu)點(diǎn)：可以中和界面處的電荷堆積；能使氧化速率提高10%到15%。
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