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問答題

【簡答題】舉出氧化工藝中摻氯的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)。

答案：優(yōu)點(diǎn)：可以中和界面處的電荷堆積；能使氧化速率提高10%到15%。

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【簡答題】列出Si/Si0₂界面處的4種氧化物電荷。

答案：

正的電荷。
負(fù)的電荷。
界面陷阱電荷。
可移動(dòng)氧化物電荷。

【簡答題】如果熱生長氧化層厚度為2000A，那么Si消耗多少？

答案： 920A（每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）