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問答題

【簡答題】如果熱生長氧化層厚度為2000A，那么Si消耗多少？

答案： 920A（每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）

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【簡答題】列出熱氧化物的硅片制造的六種用途，并給出各種用途的目的。

答案：金屬層間絕緣阻擋層：用做金屬連線間的保護層。
注入屏蔽氧化層：用于減小注入夠到和損傷。
勢氧化層：做...

【簡答題】為什么刪氧要用熱生長？

答案：因為柵氧與其下的Si具有高質(zhì)量和穩(wěn)定性的特點，柵氧一般通過熱生長獲得。