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填空題
對(duì)于下圖所示電路,設(shè)V
CC
=12V,三級(jí)管β=50,V
BE
=0.7V,若要求靜態(tài)電流I
CQ
=2mA,V
CEQ
=4V,則電路中的R
b
=(),R
C
=()
答案:
282.5kΩ;4kΩ
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填空題
JFET是利用PN結(jié)反向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制,來改變()的寬窄,從而控制漏極電流的大小;而MOSFET則是利用柵源電壓的大小,來改變半導(dǎo)體表面()的多少,從而控制漏極電流的大小。
答案:
導(dǎo)電溝道;感生電荷
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填空題
半功率點(diǎn)指的是在輸入信號(hào)幅值不變的的條件下,增益下降()dB的頻率點(diǎn),即與中頻段相比輸出電壓下降()倍。
答案:
3;0.707
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