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填空題

JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制,來改變()的寬窄,從而控制漏極電流的大??;而MOSFET則是利用柵源電壓的大小,來改變半導(dǎo)體表面()的多少,從而控制漏極電流的大小。

答案: 導(dǎo)電溝道;感生電荷
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