97免费在线观看视频,亚洲综合自拍网,黄色毛片免费观看,热久久综合网,免费看日产一区二区三区狠狠操av,久久久涩涩涩,在线精品免费视频,人人插天天干,久久91精品国产91久久

<source id="pg9oy"></source>

<ruby id="pg9oy"><xmp id="pg9oy"></xmp></ruby>

判斷題

制作一硅晶體管芯片，在最后用熱氧化方法制備了一層SiO₂作為保護(hù)層。

答案：錯誤

你可能感興趣的試題

單項選擇題

通常掩膜氧化采用的工藝方法為（）

A.干氧
B.干氧-濕氧-干氧
C.摻氯氧化
D.低壓氧化

多項選擇題

在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪種外延方法能生長雜質(zhì)陡變分布的薄外延層（）

A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE

<ins id="nyrkw"><li id="nyrkw"><b id="nyrkw"></b></li></ins>

<em id="nyrkw"><li id="nyrkw"></li></em>

<ins id="nyrkw"></ins>

<dd id="nyrkw"><acronym id="nyrkw"></acronym></dd>