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單項(xiàng)選擇題

通常掩膜氧化采用的工藝方法為（）

A.干氧
B.干氧-濕氧-干氧
C.摻氯氧化
D.低壓氧化

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多項(xiàng)選擇題

在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪種外延方法能生長(zhǎng)雜質(zhì)陡變分布的薄外延層（）

A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE

如果外延速率偏低，只要增大外延氣體中硅源（如SiCl₄）濃度，硅的氣相外延速率就會(huì)增加。

答案：錯(cuò)誤

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