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問答題

【計(jì)算題】
硅npn晶體管的材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)如下：

計(jì)算晶體管的發(fā)射結(jié)注入效率γ，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)α_T，V_BE=0.55V，計(jì)算復(fù)合系數(shù)δ，并由此計(jì)算晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β。

答案：

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【計(jì)算題】已知硅p⁺n結(jié)n區(qū)電阻率為1Ω·cm，求pn結(jié)的雪崩擊穿電壓，擊穿時(shí)的耗盡區(qū)寬度和最大電場強(qiáng)度。（硅pn結(jié)C_i=8.45×10^-36cm^-1，鍺pn結(jié)C_i=6.25×10^-34cm^-1）

答案：

【計(jì)算題】在雜質(zhì)濃度N_D=2×10¹⁵cm^-3的硅襯底上擴(kuò)散硼形成pn結(jié)，硼擴(kuò)散的便面濃度為N_A=10¹⁸cm^-3，結(jié)深5μm，求此pn結(jié)5V反向電壓下的勢壘電容。

答案：

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