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問答題

【計算題】已知硅p⁺n結(jié)n區(qū)電阻率為1Ω·cm，求pn結(jié)的雪崩擊穿電壓，擊穿時的耗盡區(qū)寬度和最大電場強(qiáng)度。（硅pn結(jié)C_i=8.45×10^-36cm^-1，鍺pn結(jié)C_i=6.25×10^-34cm^-1）

答案：

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【計算題】在雜質(zhì)濃度N_D=2×10¹⁵cm^-3的硅襯底上擴(kuò)散硼形成pn結(jié)，硼擴(kuò)散的便面濃度為N_A=10¹⁸cm^-3，結(jié)深5μm，求此pn結(jié)5V反向電壓下的勢壘電容。

答案：

【計算題】硅突變pn結(jié)N_A=5×10¹⁸cm^-3，N_D=1.5×10¹⁶cm^-3，設(shè)pn結(jié)擊穿時的最大電場為E_c=5×10⁵V/cm，計算pn結(jié)的擊穿電壓。

答案：

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