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問答題

【計算題】0.1kg的Ge單晶，摻有3.2*10^-9kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求該材料的電阻率μ_n=0.38m²/（V.S），Ge的單晶密度為5.32g/cm³，Sb原子量為121.8。

答案：

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【計算題】摻有濃度為每立方米為10²²硼原子的硅材料，請計算300K。

答案：

【計算題】計算含有施主雜質(zhì)濃度為N_D=910¹⁵cm^-3，及受主雜質(zhì)濃度為1.110¹⁶cm³的硅在300K時的電子和空穴濃度以及費米能級的位置。

答案：