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問答題

【計(jì)算題】計(jì)算含有施主雜質(zhì)濃度為N_D=910¹⁵cm^-3，及受主雜質(zhì)濃度為1.110¹⁶cm³的硅在300K時(shí)的電子和空穴濃度以及費(fèi)米能級(jí)的位置。

答案：

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【簡答題】
試分別說明：
1）在一定的溫度下，對本征材料而言，材料的禁帶寬度越窄，載流子濃度越高；
2）對一定的材料，當(dāng)摻雜濃度一定時(shí)，溫度越高，載流子濃度越高。

答案： 1）在一定的溫度下，對本征材料而言，材料的禁帶寬度越窄，則躍遷所需的能量越小，所以受激發(fā)的載流子濃度隨著禁帶寬度的變窄而...

【計(jì)算題】計(jì)算本征硅在室溫時(shí)的電阻率。設(shè)電子遷移率和空穴遷移率分別為1350cm²/v˙s，和500cm²/v˙s。當(dāng)摻入百萬分之一的砷后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，計(jì)算其電導(dǎo)率比本征硅的電導(dǎo)率增大多少倍？n_i=1.5×10¹³/cm³。

答案：

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