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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】為何熱氧化時(shí)要控制鈉離子含量?降低鈉離子污染的措施有哪些?
答案:
因?yàn)檠趸瘜又腥绾懈邼舛鹊拟c,則線性和拋物型氧化速率常數(shù)明顯變大。措施有:加強(qiáng)工藝衛(wèi)生方可以避免Na+沾污;也可采用摻氯...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】影響熱氧化層電性的電荷來(lái)源有哪些類(lèi)型?降低這些電荷濃度的措施?
答案:
(1)可動(dòng)離子電荷(Qm):加強(qiáng)工藝衛(wèi)生方可以避免Na+沾污;也可采用摻氯氧化,固定Na+離子;高純?cè)噭?br />(2...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】影響氧化速率的因素有?
答案:
溫度、氣體分壓、硅晶向、摻雜
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