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問答題

【簡答題】高電子遷移率晶體管（HEMT）速度高的主要原因是什么？

答案：

器件在晶體結(jié)構(gòu)中存在著類似于氣體的大量可高速遷移電子，即二維電子氣。

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【簡答題】進(jìn)一步提高M(jìn)ESFET性能的措施是什么？

答案：

改進(jìn)有源層的導(dǎo)電能力

【簡答題】為什么說柵長是MESFET的重要參數(shù)？

答案：

對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域

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