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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】進(jìn)一步提高M(jìn)ESFET性能的措施是什么？

答案：

改進(jìn)有源層的導(dǎo)電能力
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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】為什么說(shuō)柵長(zhǎng)是MESFET的重要參數(shù)？
答案：

對(duì)MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域
問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】MESFET的有源層是如何形成的？它的導(dǎo)電溝道是如何控制的？
答案： 有源層可以采用液相外延、氣相外延、分子束外延和離子注入形成。在柵極上加電壓，內(nèi)部的電勢(shì)就會(huì)被增強(qiáng)或減弱，從而使溝道的深度...
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