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判斷題

LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。

答案：錯(cuò)誤

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在一個(gè)化學(xué)氣相淀積工藝中，如果淀積速率是反應(yīng)速率控制的，則為了顯著增大淀積速率，應(yīng)該增大反應(yīng)氣體流量。

答案：錯(cuò)誤

在熱氧化過程的初始階段，二氧化硅的生長速率由氧化劑通過二氧化硅層的擴(kuò)散速率決定，處于線性氧化階段。

答案：錯(cuò)誤

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