97免费在线观看视频,亚洲综合自拍网,黄色毛片免费观看,热久久综合网,免费看日产一区二区三区狠狠操av,久久久涩涩涩,在线精品免费视频,人人插天天干,久久91精品国产91久久

<ruby id="4m3i9"><small id="4m3i9"><b id="4m3i9"></b></small></ruby>

<em id="4m3i9"></em>

<ruby id="4m3i9"><xmp id="4m3i9"></xmp></ruby>

</small></noscript>

判斷題

在熱氧化過程的初始階段，二氧化硅的生長速率由氧化劑通過二氧化硅層的擴(kuò)散速率決定，處于線性氧化階段。

答案：錯誤

你可能感興趣的試題

用來制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，這是因?yàn)椋?00）面的表面狀態(tài)更有利于控制MOS器件開態(tài)和關(guān)態(tài)所要求的閾值電壓。

答案：正確

【簡答題】列出幾種常見封裝的名稱。

答案：