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問(wèn)答題

【計(jì)算題】
現(xiàn)有一摻雜半導(dǎo)體硅材料，已測(cè)得室溫（300K）下的平衡空穴濃度為p₀=2.2510¹⁶/cm³，已知室溫下純凈單晶硅的禁帶寬度E_g=1.12eV，本征載流子濃度n_i=1.510¹⁰/cm³，室溫的kT
值為0.026eV。
1）計(jì)算該材料的平衡電子濃度n₀；
2）判別該材料的導(dǎo)電類(lèi)型；
3）計(jì)算該材料的費(fèi)米能級(jí)位置E_F。

答案：

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問(wèn)答題

【計(jì)算題】室溫下，若兩塊Si樣品中的電子濃度分別為2.25×10¹⁰cm^-3和6.8×10¹⁶cm^-3，試分別求出其中的空穴的濃度和費(fèi)米能級(jí)的相對(duì)位置，并判斷樣品的導(dǎo)電類(lèi)型。假如再在其中都摻入濃度為2.25×10¹⁶cm^-3的受主雜質(zhì)，這兩塊樣品的導(dǎo)電類(lèi)型又將怎樣？

答案：
假如再在其中都摻入濃度為2.25×10¹⁶cm^-3的受主雜質(zhì)，那...

問(wèn)答題

【計(jì)算題】
已知室溫（300K）下硅的禁帶寬度E_g≈1.12eV，價(jià)帶頂空穴和導(dǎo)帶底電子的有效質(zhì)量之比m_p/m_n≈0.55，導(dǎo)帶的有效狀態(tài)密度N_C≈2.8*10¹⁹/cm³，k_T≈0.026eV。試計(jì)算：
1）室溫（300K）下，純凈單晶硅的本征費(fèi)米能級(jí)E_i；
2）室溫（300K）下，摻磷濃度為10¹⁸/cm³的n型單晶硅的費(fèi)米能級(jí)E_F。

答案：

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