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半導(dǎo)體集成電路主要的襯底材料有單元晶體材料()、()和化合物晶體材料()、();硅COMS集成電路襯底單晶的晶向常選();TTL集成電路襯底材料的晶向常選();常用的硅集成電路介電薄膜是()、();常用的IC互連線金屬材料是()、()。
答案:
Si;Ge;GaAs;InP;(100);(111);SiO
2
;Si
3
N
4
;Al;Cu
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【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述1990年代CMOS工藝技術(shù)特征:特征尺寸、晶圓尺寸、襯底、隔離、源漏、柵極材料、光刻光源、曝光方式(光刻機(jī))、刻蝕、互連材料及方式等。
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