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單項選擇題

現(xiàn)代光刻工藝有10個步驟，其中4個是熱處理步驟，下列哪個熱處理順序是正確的？（）

A.前烘、后烘、打底膜、堅膜
B.打底膜、前烘、后烘、堅膜
C.預烘、堅膜、前烘、后烘
D.打底膜、堅膜、前烘、后烘

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多項選擇題

?Si₃N₄薄膜的特性有（）。

A.針孔少
B.對底層金屬可保形覆蓋
C.介電常數(shù)較大
D.擴散掩蔽能力強

多項選擇題

?Si₃N₄薄膜的用途有（）。

A.淺槽隔離的CMP停止層
B.最終鈍化膜和機械保護膜
C.MOSFETs中的側(cè)墻
D.選擇性氧化的掩蔽膜

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