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填空題

注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）?？蓪懗桑?img src="https://newimg.ppkao.com/2019-07/wangjing/2019070410290232389.jpg" />

答案：離子能量、離子種類和襯底材料；平均投影射程；標準偏差；高斯分布

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CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強度。

答案：針孔密度低、界面態(tài)密度低、可動電荷密度低和固定電荷密度低、介電擊穿高；含Cl；含N

用C-V測試可以測定二氧化硅薄膜的：（）

答案：界面態(tài)密度、可動電荷密度和固定電荷密度